(EU) 2019/2199Oprava nařízení Komise v přenesené pravomoci (EU) 2019/2199 ze dne 17. října 2019, kterým se mění nařízení Rady (ES) č. 428/2009, kterým se zavádí režim Společenství pro kontrolu vývozu, přepravy, zprostředkování a tranzitu zboží dvojího užití (Úřední věstník Evropské unie L 338 ze dne 30. prosince 2019)

Publikováno:	Úř. věst. L 51, 25.2.2020, s. 13-13	Druh předpisu:	Oprava
Přijato:	25. února 2020	Autor předpisu:	Evropská komise
Platnost od:	25. února 2020	Nabývá účinnosti:	25. února 2020
Platnost předpisu:	Ano	Pozbývá platnosti:

Původní znění předpisu

Text předpisu s celou hlavičkou je dostupný pouze pro registrované uživatele.

Oprava nařízení Komise v přenesené pravomoci (EU) 2019/2199 ze dne 17. října 2019, kterým se mění nařízení Rady (ES) č. 428/2009, kterým se zavádí režim Společenství pro kontrolu vývozu, přepravy, zprostředkování a tranzitu zboží dvojího užití

( Úřední věstník Evropské unie L 338 ze dne 30. prosince 2019 )

Strana 129, bod f se nahrazuje takto:

„f.

litografická zařízení:

nastavovací a krokovací nebo krokovací a snímací zařízení na zpracování destiček polovodičů za použití fotooptických nebo rentgenových metod, která mají některou z těchto vlastností:

a.	vlnová délka světelného zdroje kratší než 193 nm; nebo

b.	schopnost exponovat obrazce s ‚velikostí nejmenšího rozlišitelného prvku‘ (MRF) 45 nm nebo menší; Technická poznámka: ‚Velikost nejmenšího rozlišitelného prvku‘ se vypočítá podle vzorce: kde K faktor = 0,35

vybavení pro tiskovou litografii schopné vyrábět struktury o velikosti 45 nm nebo menší;

Poznámka: Položka 3B001.f.2. zahrnuje:

—	mikrokontaktní tiskové nástroje

—	nástroje pro ražení za tepla

—	nástroje pro nanotiskovou litografii

—	nástroje pro tiskovou litografii technikou „Step and flash“ (S-FIL)

Zařízení speciálně konstruovaná pro výrobu masek, která mají všechny tyto vlastnosti:

a.	využívají vychylovaného zaostřeného elektronového paprsku, iontového paprsku nebo „laserového“ paprsku; a

mají některou z těchto vlastností:

1.	stopa paprsku o šířce v polovině maxima (full-width at half maximum (FWHM)) menší než 65 nm a umístění obrazu menší než 17 nm (střed + 3 sigma); nebo

2.	nevyužito;

3.	chyba překrytí masky druhou vrstvou menší než 23 nm (střed + 3 sigma);

zařízení konstruovaná pro zpracování součástek za použití metod přímého zápisu, která mají všechny tyto vlastnosti:

a.	mají vychylovaný zaostřený elektronový paprsek; a

mají některou z těchto vlastností:

1.	minimální velikost paprsku nejvýše 15 nm; nebo

2.	chyba překrytí menší než 27 nm (střední hodnota + 3 sigma);“

Zavřít

Vyhledání konkrétního předpisu

Fulltextové vyhledávání